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Celular Samsung S6: Recuperación de datos de memoria UFS con Chip-Off

En RecuperoDatos.com nos dedicamos a la recuperación de datos en celulares mediante el método de Chip-off (desoldando físicamente la memoria para acceder a ella por medio de lectores especiales).

Trabajamos con todo tipo de modelo de dispositivo móvil y hemos tenido éxito en casos extremadamente complejos, llegando a recuperar toda la información en las diferentes extensiones (fotos, videos, audios, conversaciones, mensajes, contactos, llamados, etc.). Nos enorgullecemos de poder decir también, que hoy en día que somos el primer laboratorio en Argentina poseedor de la tecnología e ingenieros capacitados para recuperar datos de las nuevas memorias UFS, presentes en celulares Samsung S6, S6 Edge, Note 5, S7, S7 Edge.

Desafíos en la Recuperación de Datos en Memorias Monolíticas

Se entiende por Dispositivos de Almacenamiento Monolíticos a toda memoria de estado sólido que está integrada en una sola pastilla y que no solo contiene la memoria (por lo general del tipo NAND) sino también el controlador (el microprocesador), los conectores, módulos de seguridad, etc.

La imagen de arriba muestra uno de los dispositivos monolíticos más comunes, la memoria MicroSD, pero también existen muchos más que son utilizados frecuentemente como ser:

ECC (Error Correcting Code) en Memorias Flash

Debido a la naturaleza inherentemente poco fiables de la memoria NAND, los datos almacenados en Flash NAND no podrán mantener sus valores correctos. A medida que la cantidad de bits influenciados por esta estadísticamente pequeña y muy retratada, los controladores NAND Flash pueden utilizar un nivel de coordinación de Código de error correctivo (ECC) para lograr la dependencia y confianza requerida...

ECC Código de Correción de Error en chips de memoria flash NAND

En el momento en que los datos se escriben a Flash NAND, un ECC se registra y se almacena junto con los datos (normalmente en la región OOB). al llegar el punto en que los datos son leídos de vuelta, el ECC se vuelve a calcular y analizar en contra del que ya está almacenado en flash.

Arquitectura de Las Memorias NAND Flash

El acceso a los datos es por bloques (como en los hdd). Cada bloque se compone de un número de páginas. Las páginas son típicamente de 512, 2.048 o 4.096 bytes. Cada página tiene asociado un conjunto de bytes (normalmente de 1/32 del tamaño de los datos) que se utilizan para almacenar el ECC (Error Correcting Code o en español el Código de Corrección de Errores).

Los tamaños típicos de bloque son:

Páginas

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